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MEMS芯片 M-01-010
    發(fā)布時間: 2018-08-09 16:37    

依托頂尖的8英寸壓電氮化鋁（AlN）平臺，經(jīng)過5年持續(xù)投入，開發(fā)出全球首款壓電聲壓梯度式超聲MEMS芯片。

MEMS芯片 M-01-010


MEMS芯片   M-01-010性能指標



參數(shù)

1MHz芯片

工作原理

壓電氮化鋁

靜態(tài)電容

330pF

擊穿電壓

>100VDC

諧振阻抗

240 Ω

當前芯片尺寸

3.5mmx3.5mm

最大工作耐壓

3MPa